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    半導體關鍵設備,中國公司成功“突破”,助力先進工藝開發!

    2022/4/18 13:39:41

    生產一顆成品芯片需要歷經漫長的過程,每一顆芯片誕生,可以說都是人類科技發展的結晶,因為要將這顆芯片生產出來,所涉及的環節、設備不是三兩句話能夠說清的。

    簡單來說,一顆芯片需要歷經設計、制造、封裝測試等多重環節,每一項環節都不能省去,而在這些大環節中,又包含著眾多小環節。

    就拿芯片制造過程來說,其中的難點可以概括為兩類,一類是原材料的生產能力,還有一類是先進制造工藝設備。

    在原材料環節,中國的芯片就卡在了源頭上,生產芯片的原材料是多晶硅,我們雖然可以從沙子中獲取到硅,但其純度無法做到99.99999%,而原材料目前基本被日本、德國等國家的企業所壟斷。

    再就是光刻膠,過去光刻膠同樣長期被日本企業壟斷,作為高值耗材的產品,中國每年都要從海外大量進口光刻膠,上海新陽、南大光電等企業紛紛取得突破,已經掌握了高端光刻膠的生產工藝。

    在設備環節上,平常提到最多的就是光刻機,因為光刻機是最復雜及最核心的工藝設備,此前全球能生產高端光刻機的廠家有三家,分別是荷蘭ASML、日本尼康和佳能。

    可昂貴的研發成本讓尼康和佳能難以承擔,所以高端光刻機生產商就只有ASML一家,其占據全球光刻機市場出貨量的90%,中國卻受限于《瓦森納協定》,幾乎無法購買到先進的EUV光刻機。

    除了光刻機以外,生產芯片還需要用到蝕刻機,它的作用是將光刻機光刻好的芯片電路圖進行逐一雕刻,并且每一環節都不能出錯,在指甲蓋大小的芯片進行這番處理,雕刻難度是很高的。

    不過中國在這一方面卻取得了出色的成績,國產半導體設備廠商中微公司就成功實現了突破。

    近日,中微董事長尹志堯在年度業績會上透露,公司正在開發新一代的刻蝕設備,該設備可用于5nm以下邏輯工藝、1Xnm的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產品。

    同時他還提到,中微公司的刻蝕設備在國內主要客戶端市場的占有率正在不斷提升,開發的12英寸高端刻蝕設備,已經運營在國際知名客戶65nm到5nm等先進的芯片生產線上。

    而且公司應先進集成電路廠商的需求,開發出了小于5nm刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工。

    事實上中微公司提到的國際知名客戶就是臺積電,所以小于5nm的蝕刻設備接下來也會被臺積電采購。

    如今隨著中微公司的崛起,很多公司都已無法離開中微公司生產的設備,其中也包括一些美方的公司,所以美方只能和中微公司達成協議,允許其在美市場上交易。

    從零做到全球領先,中微公司其實就是中國半導體產業崛起的一個縮影。

    盡管我們現在還需要在很多地方加強努力,但筆者始終堅信,只要中國科學家齊心協力,就一定能夠取得巨大突破!

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